तकनीकी पैरामीटर
डायोड प्रकार
Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)
1700 V
वर्तमान - औसत रेक्टिफाइड (आईओ)
82A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ इफ
1.8 V @ 30 A
स्पीड
No Recovery Time >500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर)
0 ns
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ वीआर
200 μA @ 1700 V
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ
2070pF @ 1V, 1MHz
माउंटिंग प्रकार
Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-247
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
-55 ℃ ~ 175 ℃