BAS85 L1G
BAS85 L1G
Obsolete
विवरण:  DIODE SCHOTT 30V 200MA MINI MELF
निर्माता:  Taiwan Semiconductor
डेटाशीट:   BAS85 L1G डेटाशीट
इतिहास मूल्य: Obsolete
स्टॉक में: 1460
BAS85 L1G विशेषण
विशेषण
निर्माता भाग
BAS85 L1G
श्रेणी
डायोड - रेक्टिफायर - एकल
निर्माता
Taiwan Semiconductor
श्रृंखला
-
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
स्थिति
Obsolete
पर्यावरण अनुपालन
लेड मुक्त
क्षीणन कठोरता
नहीं
REACH SVHC
कोई SVHC नहीं
RoHS
अनुपालन करने वाला
एचएस कोड
-
तकनीकी पैरामीटर
डायोड प्रकार
Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)
30 V
वर्तमान - औसत रेक्टिफाइड (आईओ)
200mA
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ इफ
800 mV @ 100 mA
स्पीड
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर)
5 ns
वर्तमान - रिवर्स लीकेज @ वीआर
2 μA @ 30 V
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ
10pF @ 1V, 1MHz
माउंटिंग प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
Mini MELF
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
125 ℃ (Max)
BAS85 L1G PDF डेटाशीट
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